是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | PLASTIC, TQFP-80 | 针数: | 80 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 5 ns |
其他特性: | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 32K X 9; RETRANSMIT; ASYNCHRONOUS MODE IS ALSO POSSIBLE | 备用内存宽度: | 9 |
最大时钟频率 (fCLK): | 133.3 MHz | 周期时间: | 7.5 ns |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 294912 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 80 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16KX18 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP80,.64SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V273L7BC | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V273L7BCI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V273L7PF | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V273L7PFI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC NARROW BUS FIFO | |
IDT72V275 | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO | |
IDT72V275L10PF | IDT |
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3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO | |
IDT72V275L10PF8 | IDT |
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FIFO, 32KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V275L10PF9 | IDT |
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FIFO, 32KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V275L10PFG | IDT |
获取价格 |
FIFO, 32KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V275L10PFG8 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 32KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |