是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | PLASTIC, TQFP-64 | 针数: | 64 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.3 |
最长访问时间: | 10 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 66.7 MHz |
周期时间: | 15 ns | JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 2359296 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 64 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX9 |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP64,.66SQ,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.02 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.055 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V2101L15PFI9 | IDT |
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FIFO, 256KX9, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V2101L20PF | IDT |
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3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO | |
IDT72V2101L20PFG8 | IDT |
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FIFO, 256KX9, 12ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 | |
IDT72V2101L20PFI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO | |
IDT72V2103 | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103_14 | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L10BC | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L10BCI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L10PF | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L10PF9 | IDT |
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FIFO, 128KX18, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80 |