是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | PLASTIC, TQFP-80 | 针数: | 80 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.45 |
最长访问时间: | 6.5 ns | 其他特性: | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE |
周期时间: | 10 ns | JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 2359296 bit | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 80 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX18 | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V2103L15BC | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L15BCI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L15PF | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L15PFI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L5BC | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L5BCI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L5PF | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L5PFI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L6BC | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L6BCG | IDT |
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FIFO, 128KX18, 4ns, Synchronous, CMOS, PBGA100, GREEN, 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, BGA-100 |