是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, BGA100,10X10,40 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.26 |
最长访问时间: | 4 ns | 其他特性: | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE |
备用内存宽度: | 9 | 最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz |
周期时间: | 6 ns | JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 11 mm |
内存密度: | 2359296 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX18 | |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA100,10X10,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 11 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72V2103L6BCI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L6PF | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L6PF8 | IDT |
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FIFO, 128KX18, 4ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80 | |
IDT72V2103L6PFI | IDT |
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3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II NARROW BUS FIFO | |
IDT72V2103L7.5BC | IDT |
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FIFO, 128KX18, 10ns, Synchronous/Asynchronous, CMOS, PBGA100 | |
IDT72V2103L7.5BCG | IDT |
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FIFO, 128KX18, 5ns, Synchronous, CMOS, PBGA100, 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | |
IDT72V2103L7.5BCGI | IDT |
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FIFO, 128KX18, 5ns, Synchronous, CMOS, PBGA100, 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | |
IDT72V2103L7.5PF | ETC |
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x9/x18 Synchronous FIFO | |
IDT72V2103L7.5PF8 | IDT |
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FIFO, 128KX18, 5ns, Synchronous, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80 | |
IDT72V2103L7.5PFG | IDT |
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暂无描述 |