是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP64,.47SQ,20 | 针数: | 64 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.22 |
最长访问时间: | 15 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 40 MHz |
周期时间: | 25 ns | JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 9216 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 64 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512X18 | |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP64,.47SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72215LB25TFG8 | IDT |
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FIFO, 512X18, 15ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, STQFP-64 | |
IDT72215LB25TFGI | IDT |
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暂无描述 | |
IDT72215LB25TFI | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB25TFI8 | IDT |
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FIFO, 512X18, 15ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, STQFP-64 | |
IDT72215LB25TFI9 | IDT |
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FIFO, 512X18, 15ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, PLASTIC, STQFP-64 | |
IDT72215LB30GB | IDT |
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FIFO, 512X18, Synchronous, CMOS, CPGA68 | |
IDT72215LB35F | IDT |
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FIFO, 512X18, 20ns, Synchronous, CMOS, QFP-68 | |
IDT72215LB35FB | IDT |
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FIFO, 512X18, 20ns, Synchronous, CMOS, QFP-68 | |
IDT72215LB35G | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB35GB | IDT |
获取价格 |
CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 |