是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | PGA | 包装说明: | CAVITY-UP, PGA-68 |
针数: | 68 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.9 | 最长访问时间: | 20 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 28.6 MHz | 周期时间: | 35 ns |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P68 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 29.464 mm | 内存密度: | 9216 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 68 |
字数: | 512 words | 字数代码: | 512 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512X18 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA68,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大待机电流: | 0.085 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 宽度: | 29.464 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72215LB35J | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB35JB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB35PF | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB35PFB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB35TF | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB35TFB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB50F | IDT |
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FIFO, 512X18, 25ns, Synchronous, CMOS, QFP-68 | |
IDT72215LB50G | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB50GB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 | |
IDT72215LB50J | IDT |
获取价格 |
CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18 |