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IDT71V67703S85PFI8

更新时间： 2024-01-07 23:55:05

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	511K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V67703S85PFI8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM, PLASTIC, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8.5 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	87 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.07 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

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IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with

3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Commercial and Industrial Temperature Ranges

AbsoluteMaximumRatings⁽¹⁾

RecommendedOperating

TemperatureSupplyVoltage

Symbol

Rating

Commercial

Unit

(2)

Grade

Temperature⁽¹⁾

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

V^SS

V^DD

V^DDQ

V^TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

-0.5 to +4.6

Commercial

Industrial

3.3V±5%

(3,6)

TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

-0.5 to V^DD

-0.5 to V^DD+0.5

-0.5 to V^DDQ+0.5

-0 to +70

3.3V±5%

5309 tbl 04

(4,6)

V^TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

NOTE:

1. TA is the "instant on" case temperature.

(5,6)

V^TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

RecommendedDCOperating

Conditions

^oC

(7)

T^A

Operating Temperature

Symbol

Parameter

Min. Typ.

3.135 3.3

Max.

3.465

Unit

Temperature

Under Bias

-55 to +125

T^BIAS

V^DDCore Supply Voltage

V^DDQI/O Supply Voltage

Storage

Temperature

-55 to +125

T^STG

V^SS

V^IH

Supply Voltage

P^T

Power Dissipation

DC Output Current

2.0

____

Input High Voltage - Inputs

Input High Voltage - I/O

Input Low Voltage

2.0

V^DD+0.3

V^DDQ+0.3

0.8

I^OUT

____

V^IH

2.0

5309 tbl 03

V^IL

-0.3^{(1 )}

NOTES:

1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may

cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional

operation of the device at these or any other conditions above those indicated

in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute

maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.

2. VDD terminals only.

5309 tbl 05

NOTE:

1. VIL (min) = -1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.

3. VDDQ terminals only.

4. Input terminals only.

5. I/O terminals only.

6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supplies have

ramped up. Power supply sequencing is not necessary; however, the voltage

on any input or I/O pin cannot exceed VDDQ during power supply ramp up.

7. TA is the "instant on" case temperature.

165fBGACapacitance

(TA = +25° C, f = 1.0MHz)

100-PinTQFPCapacitance

(TA = +25° C, f = 1.0MHz)

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

VIN = 3dV

VOUT = 3dV

Max. Unit

Symbol

C^IN

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

V^IN= 3dV

V^OUT= 3dV

Max. Unit

Symbol

CIN

C^I/O

CI/O

5309 tbl 07b

5309 tbl 07

119BGACapacitance

(TA = +25° C, f = 1.0MHz)

Symbol

C^IN

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

V^IN= 3dV

V^OUT= 3dV

Max. Unit

C^I/O

5309 tbl 07a

NOTE:

1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.

6.442

1 2 345 6 7...23

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