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IDT71V67802S133BGI8

更新时间： 2024-01-16 13:35:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 520K
描述
Standard SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119

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IDT71V67802S133BGI8 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
端子数量：119字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
电源：2.5,3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.07 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.28 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

IDT71V67802S133BGI8 数据手册

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256K X 36, 512K X 18  
3.3VSynchronousSRAMs  
2.5V I/O, Burst Counter  
IDT71V67602  
IDT71V67802  
PipelinedOutputs,SingleCycleDeselect  
Features  
Description  
◆
256K x 36, 512K x 18 memory configurations  
Supports high system speed:  
The IDT71V67602/7802 are high-speed SRAMs organized as  
256K x 36/512K x 18. The IDT71V676/78 SRAMs contain write, data,  
addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate  
aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof  
thewritecycle.  
◆
– 166MHz 3.5ns clock access time  
– 150MHz 3.8ns clock access time  
– 133MHz 4.2ns clock access time  
◆
◆
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte  
write enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
2.5V I/O supply (VDDQ)  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad  
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch  
ball grid array.  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V67602/7802canprovidefourcyclesof  
dataforasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
andthe LBO inputpin.  
◆
◆
◆
◆
TheIDT71V67602/7802SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray  
(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
PinDescriptionSummary  
A0-A18  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
CS0, CS1  
OE  
Chip Selects  
Output Enable  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
GW  
BWE  
(1 )  
BW1, BW2, BW3, BW4  
CLK  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
ZZ  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
VDD, VDDQ  
VSS  
Supply  
Supply  
N/A  
5311 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V67802.  
DECEMBER 2003  
1
©2002IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5311/07  
1234567...23

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与IDT71V67802S133BGI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V67802S133BQ IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
IDT71V67802S133BQGI IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
IDT71V67802S133BQI IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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 		Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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