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IDT71V67802S150PFI

更新时间： 2024-02-24 02:25:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 506K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V67802S150PFI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数：100Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：3.8 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：150 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2.5,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大待机电流：0.05 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.325 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT71V67802S150PFI 数据手册

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256K X 36, 512K X 18  
3.3VSynchronousSRAMs  
2.5V I/O, Burst Counter  
Advance  
Information  
IDT71V67602  
IDT71V67802  
PipelinedOutputs,SingleCycleDeselect  
Features  
aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof  
thewritecycle.  
◆
256K x 36, 512K x 18 memory configurations  
◆
Supports high system speed:  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V67602/7802canprovidefourcyclesof  
dataforasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
andthe LBO inputpin.  
– 150MHz 3.8ns clock access time  
– 133MHz 4.2ns clock access time  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte  
write enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
2.5V I/O supply (VDDQ)  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad  
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch  
ball grid array.  
TheIDT71V67602/7802SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray  
(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
Description  
The IDT71V67602/7802 are high-speed SRAMs organized as  
256K x 36/512K x 18. The IDT71V676/78 SRAMs contain write, data,  
addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate  
PinDescriptionSummary  
0
18  
A -A  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
0
1
CS , CS  
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
GW  
BWE  
1
(1)  
2
3
4
BW , BW , BW , BW  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ZZ  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
0
31  
P1  
P4  
I/O -I/O , I/O -I/O  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
DD DDQ  
V , V  
Supply  
Supply  
SS  
V
N/A  
5311 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V67802.  
OCTOBER 2001  
1
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5311/02  
1234567...23

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与IDT71V67802S150PFI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V67802S166BG IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V67802S166BGG IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V67802S166BQG IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
IDT71V67802S166PF IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V67802S166PFG IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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 		256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Sin
IDT71V67803133BGG IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA,
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 		Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
IDT71V67803133BQGI IDT

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 		Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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