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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 4.2 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 9437184 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.36 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT71V67802S133BGGI | IDT | Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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| IDT71V67802S133BGI | IDT | Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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| IDT71V67802S133BGI8 | IDT | Standard SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119 |
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| IDT71V67802S133BQ | IDT | Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 |
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| IDT71V67802S133BQGI | IDT | Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 |
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| IDT71V67802S133BQI | IDT | Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 |
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