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IDT71V67802S133BGI

更新时间： 2024-02-21 11:47:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	515K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

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IDT71V67802S133BGI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
针数：	119	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	4.2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.36 mm	最大待机电流：	0.07 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.28 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V67802S133BGI 数据手册

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256K X 36, 512K X 18

3.3VSynchronousSRAMs

2.5V I/O, Burst Counter

IDT71V67602

IDT71V67802

PipelinedOutputs,SingleCycleDeselect

Features

Description

◆

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

Supports high system speed:

The IDT71V67602/7802 are high-speed SRAMs organized as

256K x 36/512K x 18. The IDT71V676/78 SRAMs contain write, data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O supply (VDDQ)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V67602/7802canprovidefourcyclesof

dataforasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

◆

TheIDT71V67602/7802SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A0-A18

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS , CS

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1)

BW , BW , BW , BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4

VDD, VDDQ

VSS

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

5311 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V67802.

APRIL 2003

DSC-5311/06

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V67802S133BGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119
IDT71V67802S133BQ	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
IDT71V67802S133BQGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
IDT71V67802S133BQI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165
IDT71V67802S133PFGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V67802S133PFI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V67802S133PFI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V67802S150BG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V67802S150BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V67802S150BQGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

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