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IDT71V432S6PFG8

更新时间： 2024-11-09 21:06:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	623K
描述
Cache SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V432S6PFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	100	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX32	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V432S6PFG8 数据手册

32Kx32CacheRAM™

3.3VSynchronousSRAM

BurstCounter

IDT71V432

SingleCycleDeselect

Features

processor interfaces. The pipelined burst architecture provides cost-

effective 3-1-1-1 secondary cache performance for processors up to

100 MHz.

◆

32K x 32 memory configuration

◆

Supports high-performance system speed:

The IDT71V432 CacheRAM contains write, data, address, and

controlregisters.InternallogicallowstheCacheRAMtogenerateaself-

timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheextremeend

ofthewritecycle.

CommercialandIndustrial:

— 5ns Clock-to-DataAccess (100MHz)

— 6ns Clock-to-DataAccess (83MHz)

— 7ns Clock-to-DataAccess (66MHz)

Single-cycle deselect functionality (Compatible with

Micron Part # MT58LC32K32D7LG-XX)

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

◆

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner, as the IDT71V432canprovide fourcycles ofdata for

asingleaddresspresentedtotheCacheRAM.Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges.The

orderofthesethreeaddresseswillbedefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

◆

Operates with a single 3.3V power supply (+10/-5%)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin rectangular plastic

thin quad flatpack (TQFP).

◆

TheIDT71V432CacheRAMutilizes IDT's high-performance,high-

volume 3.3V CMOS process, and is packaged in a JEDEC Standard

14mmx20mm100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)foroptimumboard

densityinbothdesktopandnotebookapplications.

Description

The IDT71V432 is a 3.3V high-speed 1,048,576-bit CacheRAM

organizedas32Kx32withfullsupportofthePentium™andPowerPC™

PinDescriptionSummary

A0–A14

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

0, CS

Chips Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW^1,BW2, BW3, BW

CLK

ADV

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

I/O

–I/O31

Data Input/Output

3.3V Power

VDD

Power

Ground

VSS

Ground

3104 tbl 01

CacheRAMisatrademarkofIntegratedDeviceTechnology.

PentiumprocessorisatrademarkofIntelCorp.

PowerPCisatrademarkofInternationalBusinessMachines,Inc.

OCTOBER 2008

DSC-3104/06

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V432S6PFI	IDT	获取价格	32K x 32 CacheRAM 3.3V Synchronous SRAM Burst Counter Single Cycle Deselect
IDT71V432S7PF	IDT	获取价格	32K x 32 CacheRAM 3.3V Synchronous SRAM Burst Counter Single Cycle Deselect
IDT71V432S7PF8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S7PFG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S7PFGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S7PFI	IDT	获取价格	32K x 32 CacheRAM 3.3V Synchronous SRAM Burst Counter Single Cycle Deselect
IDT71V432S7PFI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, POWER, PLASTIC, TQFP-1
IDT71V432S8PF	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S8PF9	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S8PFG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

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