是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 12 ns | 其他特性: | ALSO REQUIRES 3V I/O SUPPLY |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V433S12PFI | IDT |
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x32 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V433S9PF | ETC |
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x32 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V433SA9PF | ETC |
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x32 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V509 | IDT |
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128K x 8 3.3V SYNCHRONOUS SRAM WITH ZBTO AND FLOW-THROUGH OUTPUT | |
IDT71V509S50Y | IDT |
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128K x 8 3.3V SYNCHRONOUS SRAM WITH ZBTO AND FLOW-THROUGH OUTPUT | |
IDT71V509S66Y | IDT |
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128K x 8 3.3V SYNCHRONOUS SRAM WITH ZBTO AND FLOW-THROUGH OUTPUT | |
IDT71V519S50PF | ETC |
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x18 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V519S60PF | ETC |
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x18 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V519S66PF | ETC |
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x18 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V519S75PF | ETC |
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x18 Fast Synchronous SRAM |