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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.57 | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP64,.47SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.115 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V33S25J | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
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| IDT71V3548S | IDT |
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256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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| IDT71V3548S100B | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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| IDT71V3548S100BG | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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| IDT71V3548S100BGG | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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| IDT71V3548S100BGGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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| IDT71V3548S100BGI | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
| IDT71V3548S100BQ | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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| IDT71V3548S100BQGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 |
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| IDT71V3548S100BQI | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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