是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.57 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 64 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP64,.47SQ,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.115 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V33S25J | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT71V3548S | IDT |
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256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V3548S100B | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | |
IDT71V3548S100BG | IDT |
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256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V3548S100BGG | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | |
IDT71V3548S100BGGI | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | |
IDT71V3548S100BGI | IDT |
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256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V3548S100BQ | IDT |
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256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | |
IDT71V3548S100BQGI | IDT |
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ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
IDT71V3548S100BQI | IDT |
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256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |