5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | LCC | 包装说明： | PLASTIC, LCC-68 |
| 针数： | 68 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 24.2062 mm | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 24.2062 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V3548S | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
| IDT71V3548S100B | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
|
| IDT71V3548S100BG | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
| IDT71V3548S100BGG | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
|
| IDT71V3548S100BGGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
|
| IDT71V3548S100BGI | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
| IDT71V3548S100BQ | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
| IDT71V3548S100BQGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 |
|
| IDT71V3548S100BQI | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
| IDT71V3548S100PF | IDT |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
