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IDT71T75602S166PFI

更新时间： 2024-11-30 22:37:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
25页	639K
描述
512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71T75602S166PFI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	3.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.265 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IDT71T75602S166PFI 数据手册

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512K x 36, 1M x 18

IDT71T75602

IDT71T75802

2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs

2.5V I/O, Burst Counter

PipelinedOutputs

Features

◆

Description

512K x 36, 1M x 18 memory configurations

◆

The IDT71T75602/802 are 2.5V high-speed 18,874,368-bit

(18 Megabit)synchronousSRAMs.Theyaredesignedtoeliminatedead

bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or

Supports high performance system speed - 225 MHz

(3.0 ns Clock-to-Data Access)

ZBT^TMFeature - No dead cycles between write and read

◆

writes andreads.Thus,theyhavebeengiventhenameZBT ,orZero

Bus Turnaround.

cycles

◆

Internally synchronized output buffer enable eliminates the

Address and control signals are applied to the SRAM during one

clockcycle,andtwocycles latertheassociateddatacycleoccurs,beit

read or write.

need to control OE

◆

Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆

Positive clock-edge triggered address, data, and control

TheIDT71T75602/802containdataI/O,addressandcontrolsignal

registers.Outputenableistheonlyasynchronoussignalandcanbeused

todisabletheoutputsatanygiventime.

AClockEnable CEN pinallows operationofthe IDT71T75602/802

tobesuspendedaslongasnecessary.Allsynchronousinputsareignored

when(CEN)ishighandtheinternaldeviceregisterswillholdtheirprevious

values.

There are three chip enable pins (CE¹, CE2, CE2) that allow the

usertodeselectthedevicewhendesired.Ifanyoneofthesethreeisnot

assertedwhenADV/LDislow,nonewmemoryoperationcanbeinitiated.

signal registers for fully pipelined applications

4-word burst capability (interleaved or linear)

Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

2.5V power supply (±5%)

2.5V I/O Supply (VDDQ)

Power down controlled by ZZ input

Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)

◆

Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA)

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁹

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enables

CE¹, CE², CE2

Output Enable

Read/Write Signal

Clock Enable

CEN

Individual Byte Write Selects

Clock

BW¹, BW², BW³, BW4

CLK

ADV/LD

Advance burst address / Load new address

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

Static

LBO

TMS

N/A

TDI

N/A

TCK

Test Clock

N/A

TDO

Test Data Input

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

Asynchronous

Synchronous

Static

TRST

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

V^DD, V^DDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

V^SS

Static

5313 tbl 01

APRIL 2004

DSC-5313/08

12 3 4 5 6 7...25

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IDT71T75602S166PFI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
71T75602S166PFGI	IDT	类似代替	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

与IDT71T75602S166PFI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71T75602S166PFI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ
IDT71T75602S200BG	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S200BGG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGI	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S200BGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119
IDT71T75602S200PF	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S200PF8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ

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