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IDT71T75602S166PF8

更新时间： 2024-12-01 19:05:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	287K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100

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IDT71T75602S166PF8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.18	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	2.38 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.245 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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512K x 36, 1M x 18

IDT71T75602

IDT71T75802

2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs

2.5V I/O, Burst Counter

Pipelined Outputs

Features

◆

512K x 36, 1M x 18 memory configurations

4-word burst capability (interleaved or linear)

◆

Supports high performance system speed - 200 MHz

Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

2.5V power supply (±5%)

2.5V I/O Supply (VDDQ)

Power down controlled by ZZ input

Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)

Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA)

Green parts available, see Ordering Information

(3.2 ns Clock-to-Data Access)

ZBT^TMFeature - No dead cycles between write and read

◆

cycles

◆

Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

Single R/W (READ/WRITE) control pin

Positive clock-edge triggered address, data, and control

◆

signal registers for fully pipelinedapplications

Functional Block Diagram - 512K x 36

LBO

512Kx36 BIT

MEMORY ARRAY

Address A [0:18]

Address

CE1, CE2, CE2

R/W

Control

CEN

ADV/LD

DI DO

Control Logic

Clk

Mux

Sel

Clock

Output Register

Gate

TMS

TDI

TCK

Data I/O [0:31],

I/O P[1:4]

JTAG

TDO

TRST

5313 drw 01

(optional)

OCTOBER 2017

DSC-5313/11

12 3 4 5 6 7...26

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IDT71T75602S166PF8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
71T75602S166PFGI8	IDT	类似代替	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
71T75602S166PFGI	IDT	类似代替	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
71T75602S166PFG	IDT	类似代替	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

与IDT71T75602S166PF8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71T75602S166PFG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-13
IDT71T75602S166PFGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ
IDT71T75602S166PFI	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S166PFI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ
IDT71T75602S200BG	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S200BGG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
IDT71T75602S200BGI	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM

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