Datasheet > IDT71T75602S150BG8

IDT71T75602S150BG8

更新时间： 2024-11-30 21:09:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	473K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71T75602S150BG8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.14
最长访问时间：	3.8 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	150 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.36 mm
最大待机电流：	0.04 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.215 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IDT71T75602S150BG8 数据手册

浏览型号IDT71T75602S150BG8的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71T75602S150BG8的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71T75602S150BG8的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71T75602S150BG8的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71T75602S150BG8的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71T75602S150BG8的Datasheet PDF文件第7页

Advance

Information

IDT71T75602

IDT71T75802

512K x 36, 1M x 18

2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs

2.5V I/O, Burst Counter

PipelinedOutputs

Description

Features

◆

The IDT71T75602/802 are 2.5V high-speed 18,874,368-bit

(18 Megabit)synchronousSRAMs.Theyaredesignedtoeliminatedead

bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or

512K x 36, 1M x 18 memory configurations

◆

Supports high performance system speed - 166 MHz

(3.5 ns Clock-to-Data Access)

ZBT^TMFeature - No dead cycles between write and read

◆

writes andreads.Thus,theyhavebeengiventhenameZBT ,orZero

Bus Turnaround.

cycles

◆

Address and control signals are applied to the SRAM during one

clockcycle,andtwocycles latertheassociateddatacycleoccurs,beit

read or write.

TheIDT71T75602/802containdataI/O,addressandcontrolsignal

registers.Outputenableistheonlyasynchronoussignalandcanbeused

todisabletheoutputsatanygiventime.

AClockEnable CEN pinallows operationofthe IDT71T75602/802

tobesuspendedaslongasnecessary.Allsynchronousinputsareignored

when(CEN)ishighandtheinternaldeviceregisterswillholdtheirprevious

values.

There are three chip enable pins (CE¹, CE2, CE2) that allow the

usertodeselectthedevicewhendesired.Ifanyoneofthesethreeisnot

assertedwhenADV/LDislow,nonewmemoryoperationcanbeinitiated.

However,anypendingdatatransfers(readsorwrites)willbecompleted.

Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

Single R/W (READ/WRITE) control pin

Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

4-word burst capability (interleaved or linear)

Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

2.5V power supply (±5%)

2.5V I/O Supply (VDDQ)

Power down controlled by ZZ input

Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

◆

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA)

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁹

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enables

CE , CE , CE

Output Enable

R/W

CEN

Read/Write Signal

Clock Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BW , BW , BW , BW

CLK

ADV/LD

LBO

TMS

TDI

Advance burst address / Load new address

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

Static

N/A

TCK

TDO

Test Clock

N/A

Test Data Input

N/A

Sleep Mode

Synchronous

Static

I/O -I/O , I/O -I/O

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

DD DDQ

V , V

Supply

Static

5313 tbl 01

ZBT and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola, Inc.

DECEMBER 2001

DSC-5313/04

12 3 4 5 6 7...23

中文翻译

下载PDF

与IDT71T75602S150BG8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71T75602S150BGG	IDT	获取价格	暂无描述
IDT71T75602S150BGI	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S150PF	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S150PF8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ
IDT71T75602S150PFI	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S150PFI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQ
IDT71T75602S166BG	IDT	获取价格	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAM
IDT71T75602S166BGG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
IDT71T75602S166BGGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119
IDT71T75602S166BGGI8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

与IDT71T75602S150BG8相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71T75602S150BG8

IDT71T75602S150BG8 技术参数

IDT71T75602S150BG8 数据手册

与IDT71T75602S150BG8相关器件

与IDT71T75602S150BG8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71T75602S150BG8

IDT71T75602S150BG8 技术参数

IDT71T75602S150BG8 数据手册

与IDT71T75602S150BG8相关器件

与IDT71T75602S150BG8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？