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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, DIP48,.6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.41 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.28 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7140SA25TF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140SA25TFB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140SA25TFB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT7140SA25TFG | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA25TFGB | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA25TFGB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 |
|
| IDT7140SA25TFGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA25TFGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT7140SA25TFI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 |
|
| IDT7140SA30CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP48 |
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