是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | QFP, QFP64,.47SQ,20 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.22 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 64 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP64,.47SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.28 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140SA25TFGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140SA25TFGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 | |
IDT7140SA25TFI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 | |
IDT7140SA30CB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140SA30F | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7140SA30FB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7140SA30FG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7140SA30FGB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7140SA30J | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7140SA30J8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |