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IDT7140SA30L52B

更新时间： 2024-11-19 18:58:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	529K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52

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IDT7140SA30L52B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	LCC-52	针数：	52
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.64
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQCC-N52
JESD-609代码：	e0	长度：	19.05 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	52
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC52,.75SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	2.2098 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.295 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	19.05 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7140SA35C	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA35CB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA35CB8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48
IDT7140SA35CG	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140SA35CGB	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140SA35CGI	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140SA35F	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA35F8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48
IDT7140SA35FB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA35FB8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48