是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.64 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.1262 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 52 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 19.1262 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140SA35JI8 | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7140SA35L | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7140SA35L48 | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140SA35L48B | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140SA35L48B8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 | |
IDT7140SA35L48G | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140SA35L48G8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 | |
IDT7140SA35L48GB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140SA35L48GB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48 | |
IDT7140SA35L48GI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |