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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | QFF, QFL48,.75SQ | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.03 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-CQFP-F48 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QFF | 封装等效代码： | QFL48,.75SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.7432 mm | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.165 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7140SA35FG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 |
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| IDT7140SA35FGB | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35FGB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQFP48 |
|
| IDT7140SA35FGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35J | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140SA35JB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140SA35JG | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35JG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT7140SA35JGB | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35JGB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52 |
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