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IDT7140SA30CB

更新时间: 2024-11-19 20:42:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 1013K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CDIP48

IDT7140SA30CB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:30 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T48JESD-609代码:e0
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8端口数量:2
端子数量:48字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP48,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.03 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.295 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IDT7140SA30CB 数据手册

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