是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.46 |
最长访问时间: | 30 ns | 其他特性: | INTERRUPT FLAG |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 19.1262 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 19.1262 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140SA30L48 | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7140SA30L48B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7140SA30L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT7140SA30L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT7140SA35C | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140SA35CB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140SA35CB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140SA35CG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140SA35CGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140SA35CGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |