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IDT7140SA30JG8

更新时间: 2024-11-19 18:58:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 529K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT7140SA30JG8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:52
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.46
最长访问时间:30 ns其他特性:INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e3
长度:19.1262 mm内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:2
端子数量:52字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:19.1262 mmBase Number Matches:1

IDT7140SA30JG8 数据手册

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