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IDT71258S35TC

更新时间： 2024-09-16 20:52:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	195K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24

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IDT71258S35TC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T24	JESD-609代码：	e0
长度：	30.607 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71258S35TCB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24
IDT71258S35TP	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
IDT71258S35Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
IDT71258S35Y8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
IDT71258S45C	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24
IDT71258S45CB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24
IDT71258S45EB	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258S45L28	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71258S45L288	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71258S45L28B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CQCC28, LCC-28