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IDT71258S35Y

更新时间: 2024-09-16 20:52:07
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 195K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

IDT71258S35Y 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.300 INCH, SOJ-24
针数:24Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0长度:15.88 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.76 mm
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

IDT71258S35Y 数据手册

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