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IDT71258S55L28B

更新时间： 2024-11-06 20:52:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	195K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

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IDT71258S55L28B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	LCC-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N28	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC28,.35X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.035 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.89 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71258S55L28BG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71258S55P	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258S55SO	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258S55TCB	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258S55Y	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258S70CB	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258S70EB	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71259L20TC	ETC	获取价格	x9 SRAM
IDT71259L20TP	ETC	获取价格	x9 SRAM
IDT71259L20Y	ETC	获取价格	x9 SRAM