IDT70V7339S200BC

更新时间： 2024-11-26 22:26:15

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		/
页数	文件大小	规格书
22页	484K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT70V7339S200BC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA256,16X16,40	针数：	256
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.32
最长访问时间：	10 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B256	JESD-609代码：	e0
长度：	17 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	256
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA256,16X16,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.15 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.95 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	17 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V7339S200BC 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18

SYNCHRONOUS

BANK-SWITCHABLE

IDT70V7339S

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

◆

512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 144-pin Thin Quad Flatpack (TQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball

GridArray(BGA)

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the

144-pin TQFP package.

SRAM Architecture

– 64 independent 8K x 18 banks

– 9 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

High-speed data access

– Commercial:3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHzoperation(14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

FunctionalBlockDiagram

PL/

OPT^L

CLK^L

PL/FT^R

OPT^R

CLK^R

ADS^L

CNTEN^L

REPEAT^L

R/W^L

ADS^R

CNTEN^R

REPEAT^R

R/W^R

CE^0R

CE^1R

UB^R

LB^R

MUX

CONTROL

LOGIC

CONTROL

LOGIC

CE^0L

CE^1L

UB^L

LB^L

8Kx18

MEMORY

ARRAY

OE^L

OE^R

(BANK 0)

MUX

I/O

CONTROL

I/O

CONTROL

I/O^0L-17L

I/O^0R-17R

8Kx18

MEMORY

ARRAY

A^12R

A^0R

(BANK 1)

A^12L

A^0L

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

MUX

BA^5R

BA^4R

BA^3R

BA^2R

BA^1R

BA^0R

BA^5L

BA^4L

BANK

DECODE

BANK

DECODE

BA^1L

BA^0L

MUX

8Kx18

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

NOTE:

MUX

JTAG

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 19

for details.

5628 drw 01

TMS

TCK

TDI

TDO

TRST

DECEMBER 2002

DSC 5628/6

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT70V7339S200BC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V7339S200BC8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-
IDT70V7339S200BCG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 512KX18, 10ns, PBGA256, BGA-256
IDT70V7339S200BCI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7339S200BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7339S200BFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7339S200DD	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7339S200DDG	IDT	获取价格	暂无描述
IDT70V7339S200DDI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7399S	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7399S133BC	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.

与IDT70V7339S200BC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V7339S200BC

IDT70V7339S200BC 技术参数

IDT70V7339S200BC 数据手册

与IDT70V7339S200BC相关器件

与IDT70V7339S200BC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V7339S200BC

IDT70V7339S200BC 技术参数

IDT70V7339S200BC 数据手册

与IDT70V7339S200BC相关器件

与IDT70V7339S200BC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？