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IDT70V7399S133BC

更新时间： 2024-11-24 22:25:39

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
22页	489K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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IDT70V7399S133BC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA256,16X16,40	针数：	256
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B256
JESD-609代码：	e0	长度：	17 mm
内存密度：	2359296 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	256	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA256,16X16,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.5 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.645 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	17 mm
Base Number Matches：	1

IDT70V7399S133BC 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18

SYNCHRONOUS

BANK-SWITCHABLE

IDT70V7399S

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

◆

128K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported

SRAM Architecture

– 64 independent 2K x 18 banks

– 2 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

High-speed data access

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 144-pin Thin Quad Flatpack (TQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball

GridArray(BGA)

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the

144-pin TQFP package.

◆

– Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6 (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHzoperation(14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

FunctionalBlockDiagram

PL/

OPT^L

CLK^L

PL/FT^R

OPT^R

CLK^R

ADS^L

CNTEN^L

REPEAT^L

R/W^L

ADS^R

CNTEN^R

REPEAT^R

R/W^R

CE^0R

CE^1R

UB^R

LB^R

MUX

CONTROL

LOGIC

CONTROL

LOGIC

CE^0L

CE^1L

UB^L

LB^L

2Kx18

MEMORY

ARRAY

OE^L

OE^R

(BANK 0)

MUX

I/O

CONTROL

I/O

CONTROL

I/O^0L-17L

I/O^0R-17R

2Kx18

MEMORY

ARRAY

A^10R

A^0R

(BANK 1)

A^10L

A^0L

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

MUX

BA^5R

BA^4R

BA^3R

BA^2R

BA^1R

BA^0R

BA^5L

BA^4L

BANK

DECODE

BANK

DECODE

BA^1L

BA^0L

MUX

2Kx18

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

NOTE:

MUX

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 19

for details.

5630 drw 01

TMS

TCK

TRST

TDI

TDO

JTAG

DECEMBER 2002

DSC 5630/6

12 3 4 5 6 7...22

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