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IDT70V7399S133BFGI

更新时间： 2024-10-30 05:30:07
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 220K
描述
Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PBGA208, FBGA-208

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IDT70V7399S133BFGI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：208
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.32
最长访问时间：15 ns其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：S-PBGA-B208JESD-609代码：e1
长度：15 mm内存密度：2359296 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：208字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX18封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：3.15 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：15 mmBase Number Matches：1

IDT70V7399S133BFGI 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18  
SYNCHRONOUS  
BANK-SWITCHABLE  
IDT70V7399S  
DUAL-PORT STATIC RAM  
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE  
Features:  
◆
128K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported  
SRAM Architecture  
– Data input, address, byte enable and control registers  
– Self-timedwriteallowsfastcycletime  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply  
for core  
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V  
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on  
each port  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is  
available at 166MHz and 133MHz  
Available in a 144-pin Thin Quad Flatpack (TQFP),  
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball  
GridArray(BGA)  
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1  
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the  
144-pin TQFP package.  
◆
◆
◆
– 64 independent 2K x 18 banks  
– 2 megabits of memory on chip  
Bank access controlled via bank address pins  
High-speed data access  
◆
◆
– Commercial:3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/  
4.2ns (133MHz) (max.)  
– Industrial: 3.6 (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)  
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode  
Counter enable and repeat features  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
additional logic  
Full synchronous operation on both ports  
– 5ns cycle time, 200MHzoperation(14Gbps bandwidth)  
– Fast 3.4ns clock to data out  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and  
address inputs @ 200MHz  
FunctionalBlockDiagram  
PL/FT  
OPT  
CLK  
ADS  
CNTEN  
REPEAT  
R/W  
R
PL/FT  
L
OPT  
L
R
CLK  
L
R
ADS  
L
R
CNTEN  
REPEAT  
R/W  
L
R
L
R
L
R
MUX  
CONTROL  
LOGIC  
CONTROL  
LOGIC  
CE0L  
CE1L  
CE0R  
CE1R  
2Kx18  
MEMORY  
ARRAY  
UB  
LB  
OE  
L
L
L
UB  
LB  
OE  
R
R
R
(BANK 0)  
MUX  
MUX  
I/O  
CONTROL  
I/O  
CONTROL  
I/O0L-17L  
I/O0R-17R  
2Kx18  
MEMORY  
ARRAY  
A
10R  
0R  
(BANK 1)  
A
10L  
ADDRESS  
DECODE  
ADDRESS  
DECODE  
A
A
0L  
MUX  
BA5R  
BA4R  
BA3R  
BA2R  
BA1R  
BA0R  
BA5L  
BA4L  
BA3L  
BA2L  
BA1L  
BA0L  
BANK  
DECODE  
BANK  
DECODE  
MUX  
2Kx18  
MEMORY  
ARRAY  
(BANK 63)  
NOTE:  
MUX  
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM  
core instead of the traditional dual-port SRAM core.  
As a result, it has unique operating characteristics.  
Please refer to the functional description on page 19  
for details.  
,
5630 drw 01  
TMS  
TCK  
TRST  
TDI  
TDO  
JTAG  
JANUARY 2009  
1
DSC 5630/8  
©2009IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...22

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与IDT70V7399S133BFGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V7399S133BFI IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7399S133BFI8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PBGA208, FBGA-208
IDT70V7399S133DD IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7399S133DDG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144
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 		暂无描述
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