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IDT70V7339S133BCI8

更新时间： 2024-11-27 14:51:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	219K
描述
Dual-Port SRAM, 512KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256

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IDT70V7339S133BCI8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA256,16X16,40	针数：	256
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.19
最长访问时间：	15 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B256	JESD-609代码：	e0
长度：	17 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	256
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装等效代码：	BGA256,16X16,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	3.15 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.675 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	17 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V7339S133BCI8 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18

SYNCHRONOUS

IDT70V7339S

BANK-SWITCHABLE

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

◆

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported

SRAM Architecture

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in 208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA) and

256-pin Ball Grid Array (BGA)

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

Green parts available, see ordering information

– 64 independent 8K x 18 banks

– 9 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

High-speed data access

– Commercial:3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHzoperation(14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

FunctionalBlockDiagram

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

MUX

CONTROL

LOGIC

CONTROL

LOGIC

CE0L

CE1L

CE0R

CE1R

8Kx18

MEMORY

ARRAY

(BANK 0)

MUX

I/O

CONTROL

I/O

CONTROL

I/O0L-17L

I/O0R-17R

8Kx18

MEMORY

ARRAY

12R

(BANK 1)

12L

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

MUX

BA5R

BA4R

BA3R

BA2R

BA1R

BA0R

BA5L

BA4L

BA3L

BA2L

BA1L

BA0L

BANK

DECODE

BANK

DECODE

MUX

8Kx18

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

MUX

NOTE:

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 18

for details.

5628 drw 01

TMS

TCK

TRST

TDI

TDO

JTAG

APRIL 2010

DSC 5628/9

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V7339S133BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7339S133BFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 512KX18, 15ns, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-20
IDT70V7339S133BFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7339S133DA	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 512KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144
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IDT70V7339S133DAGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 512KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144
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IDT70V7339S166BC	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.

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