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IDT70V3379S6PRF

更新时间： 2024-11-08 22:37:07

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器输出元件时钟
页数	文件大小	规格书
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描述
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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IDT70V3379S6PRF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	PLASTIC, TQFP-128	针数：	128
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.72
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G128	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	589824 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	128
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP128,.63X.87,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	3.15 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.31 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V3379S6PRF 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18

SYNCHRONOUS PIPELINED

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

IDT70V3379S

Features:

address inputs @ 133MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for

core

LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)

power supply for I/Os and control signals on each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available for selected speeds

Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP)

and 208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin

BallGridArray

◆

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed clock to data access

◆

– Commercial:4.2/5/6ns (max.)

– Industrial:5/6ns (max)

Pipelined output mode

◆

Counter enable and reset features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 7.5ns cycle time, 133MHzoperation(9.6Gbps bandwidth)

– Fast 4.2ns clock to data out

◆

– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and

FunctionalBlockDiagram

UB^L

UB^R

LB^R

R/W^L

R/W^R

B B

W W

CE^0L

CE^0R

OE^L

OE^R

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

32K x 18

MEMORY

ARRAY

I/O^{0 L}- I/O^{1 7 L}

Din_L

Din_R

I/O^0R- I/O^17R

CLK

CLK^R

A_14L

A_14R

Counter/

Address

Reg.

Counter/

Address

Reg.

A_0L

A_0R

ADDR_L

ADDR_R

CNTRST

ADS^R

ADS

CNTEN^L

CNTEN^R

4833 tbl 01

APRIL 2001

DSC 4833/8

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V3379S6PRF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
IDT70V3379S6PRFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM X 1.4 MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-128
IDT70V3379S6PRFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
IDT70V3379S6PRFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
IDT70V3379S6PRFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BC	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BCGI	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256
IDT70V3389S4BCGI8	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256
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