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IDT70V3379S6PRFG8

更新时间： 2024-11-09 14:51:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	186K
描述
Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128

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IDT70V3379S6PRFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP128,.63X.87,20	针数：	128
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.3
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G128	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	内存密度：	589824 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	128
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP128,.63X.87,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	3.15 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.31 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18

SYNCHRONOUS PIPELINED

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

IDT70V3379S

Features:

address inputs @ 133MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for

core

LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)

power supply for I/Os and control signals on each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available for selected speeds

Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP)

and 208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin

BallGridArray

◆

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed clock to data access

◆

– Commercial:4.2/5/6ns (max.)

– Industrial:5/6ns (max)

Pipelined output mode

◆

Counter enable and reset features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 7.5ns cycle time, 133MHzoperation(9.6Gbps bandwidth)

– Fast 4.2ns clock to data out

◆

– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and

FunctionalBlockDiagram

UB^L

UB^R

LB^R

R/W^L

R/W^R

B B

W W

CE^0L

CE^0R

OE^L

OE^R

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

32K x 18

MEMORY

ARRAY

I/O^{0 L}- I/O^{1 7 L}

Din_L

Din_R

I/O^0R- I/O^17R

CLK

CLK^R

A_14L

A_14R

Counter/

Address

Reg.

Counter/

Address

Reg.

A_0L

A_0R

ADDR_L

ADDR_R

CNTRST

ADS^R

ADS

CNTEN^L

CNTEN^R

4833 tbl 01

APRIL 2001

DSC 4833/8

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V3379S6PRFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
IDT70V3379S6PRFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BC	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BCGI	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256
IDT70V3389S4BCGI8	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256
IDT70V3389S4BCI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
IDT70V3389S4BFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208

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