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IDT70V3389S4BC

更新时间： 2024-11-08 23:01:07

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艾迪悌 - IDT		/
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描述
HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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IDT70V3389S4BC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA, BGA256,16X16,40	针数：	256
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.27
最长访问时间：	4.2 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B256
JESD-609代码：	e0	长度：	17 mm
内存密度：	1179648 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	256	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装等效代码：	BGA256,16X16,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.5 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.46 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	17 mm
Base Number Matches：	1

IDT70V3389S4BC 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18

SYNCHRONOUS PIPELINED

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

IDT70V3389S

Features

address inputs @ 133MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for

core

LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)

power supply for I/Os and control signals on each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available for selected speeds

Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball

GridArray

◆

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed clock to data access

◆

– Commercial:4.2/5/6ns (max.)

– Industrial:5/6ns (max)

Pipelined output mode

Counter enable and reset features

Dual chip enables allow for depth expansion without

◆

additional logic

◆

Full synchronous operation on both ports

– 7.5ns cycle time, 133MHzoperation(9.6Gbps bandwidth)

– Fast 4.2ns clock to data out

– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and

FunctionalBlockDiagram

UB^L

LB^L

UB^R

LB^R

R/W

W^R

B B

W W

OE^L

OE^R

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

64K x 18

MEMORY

ARRAY

I/O^{0 L}- I/O^{1 7 L}

Din_L

17R

Din_R

I/O - I/O

CLK^L

CLK

A_15L

A_15R

A_0R

Counter/

Address

Reg.

Counter/

Address

Reg.

A_0L

CNTRST^L

ADS^L

ADDR_L

ADDR_R

CNTRST^R

ADS

CNTEN

4832 tbl 01

APRIL 2001

DSC 4832/8

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IDT70V3389S4BCGI8	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA256
IDT70V3389S4BCI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3389S4BF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
IDT70V3389S4BFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
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IDT70V3389S4BFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
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