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IDT70V05L55JGI

更新时间： 2024-09-17 12:57:55
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
17页 241K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68

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IDT70V05L55JGI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：QCCJ,针数：68
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.28
Is Samacsys：N最长访问时间：55 ns
JESD-30 代码：S-PQCC-J68JESD-609代码：e3
长度：24.2062 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：68
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：24.2062 mm
Base Number Matches：1

IDT70V05L55JGI 数据手册

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IDT70V05S/L  
HIGH-SPEED 3.3V  
8K x 8 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
Integrated Device Technology, Inc.  
• On-chip port arbitration logic  
• Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
• Fully asynchronous operation from either port  
• Devices are capable of withstanding greater than 2001V  
electrostatic discharge  
FEATURES:  
• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-  
neous access of the same memory location  
• High-speed access  
— Commercial: 25/35/55ns (max.)  
• Low-power operation  
• Battery backup operation—2V data retention  
— IDT70V05S  
•
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply  
Active: 350mW (typ.)  
Standby: 3.5mW (typ.)  
— IDT70V05L  
• Available in 68-pin PGA, 68-pin PLCC, and a 64-pin  
TQFP  
Active: 350mW (typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
DESCRIPTION:  
• IDT70V05 easily expands data bus width to 16 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading  
more than one device  
• M/S = H for BUSY output flag on Master  
M/S = L for BUSY input on Slave  
• Busy and Interrupt Flags  
The IDT70V05 is a high-speed 8K x 8 Dual-Port Static  
RAM. The IDT70V05 is designed to be used as a stand-alone  
Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-  
Port RAM for 16-bit-or-more word systems. Using the IDT  
MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 16-bit or wider  
memory system applications results in full-speed, error-free  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
OER  
OEL  
CEL  
CER  
R/W  
L
R/WR  
I/O0L- I/O7L  
I/O0R-I/O7R  
(1,2)  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
BUSY (1,2)  
L
BUSY  
R
A
12L  
0L  
A
A
12R  
0R  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A
13  
13  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
NOTES:  
CE  
OE  
R/W  
L
1. (MASTER):  
BUSY is output;  
(SLAVE): BUSY  
is input.  
CE  
OE  
R/W  
R
R
L
R
L
2. BUSY outputs  
and INT outputs  
are non-tri-  
SEM  
L
SEM  
R
(2)  
INT (2)  
L
INTR  
stated push-pull.  
M/S  
2941 drw 01  
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.  
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE  
OCTOBER 1996  
For latest information contact IDT’s web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.  
©1996 Integrated Device Technology, Inc.  
DSC-2941/3  
6.35  
1
1234567...17

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与IDT70V05L55JGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V05L55JI IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
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 		HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05L55PF8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT70V05L55PF9 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
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 		Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
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