IDT70V05S20G

更新时间： 2024-11-22 23:01:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		/
页数	文件大小	规格书
22页	173K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT70V05S20G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	PGA
包装说明：	PGA, PGA68,11X11	针数：	68
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.26
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P68	JESD-609代码：	e0
长度：	29.464 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA68,11X11	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.207 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	29.464 mm

IDT70V05S20G 数据手册

IDT70V05S/L

HIGH-SPEED 3.3V

8K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

Features

◆

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Available in 68-pin PGA and PLCC, and a 64-pin TQFP

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

–

Commercial: 15/20/25/35/55ns (max.)

Industrial:20/25/35/55ns(max.)

◆

Low-power operation

–

IDT70V05S

Active:400mW(typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

IDT70V05L

◆

–

Active:380mW(typ.)

Standby: 660µW (typ.)

IDT70V05 easily expands data bus width to 16 bits or more

◆

Functional Block Diagram

OER

CER

OEL

CEL

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSYL

BUSYR

A12L

A0L

A12R

A0R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

OEL

CER

OER

R/WR

R/WL

SEM

INTL

SEM

INTR

M/S

(2)

2941 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

MARCH 2000

DSC 2941/6

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT70V05S20G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V05S20GI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05S20J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05S20JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,
IDT70V05S20JGI	IDT	获取价格	暂无描述
IDT70V05S20JI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05S20PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05S20PF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT70V05S20PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT70V05S20PFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V05S20PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64

与IDT70V05S20G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

27
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V05S20G

IDT70V05S20G 技术参数

IDT70V05S20G 数据手册

与IDT70V05S20G相关器件

与IDT70V05S20G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V05S20G

IDT70V05S20G 技术参数

IDT70V05S20G 数据手册

与IDT70V05S20G相关器件

与IDT70V05S20G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？