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IDT70T651S10BFG8 PDF预览

IDT70T651S10BFG8

更新时间： 2024-10-29 14:38:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 344K
描述
Dual-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, FBGA-208

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IDT70T651S10BFG8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.19
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PBGA-B208JESD-609代码：e1
长度：15 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：208
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA208,17X17,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5,2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.5 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：2.4 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.405 mA最大供电电压 (Vsup)：2.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.4 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：15 mmBase Number Matches：1

IDT70T651S10BFG8 数据手册

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HIGH-SPEED 2.5V  
PRELIMINARY  
IDT70T651/9S  
256/128K x 36  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE  
◆
Busy and Interrupt Flags  
On-chip port arbitration logic  
Features  
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
◆
– Commercial:8/10/12/15ns(max.)  
– Industrial: 10/12ns(max.)  
◆
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write  
◆
◆
◆
◆
Sleep Mode Inputs on both ports  
cycles  
◆
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
Single 2.5V (±100mV) power supply for core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 256-ball Ball Grid Array, 208-pin Plastic Quad  
Flatpack and 208-ball fine pitch Ball Grid Array.  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
◆
IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
◆
◆
◆
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Functional Block Diagram  
BE3L  
BE3R  
BE2R  
BE2L  
BE1L  
BE0L  
BE1R  
BE0R  
R/WL  
R/WR  
B B B B  
E E E E  
B
E
3
B B B  
E E E  
2 1 0  
0
1
2
3
CE0L  
CE1L  
CE0R  
CE1R  
L
L
L
L
R R R R  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
256/128K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O0L- I/O35L  
Di n_L  
Di n_R  
I/O0R -I/O35R  
(1)  
A
17R  
0R  
(1)  
17L  
Address  
Decoder  
A
Address  
Decoder  
ADDR_L  
ADDR_R  
A
A0L  
CE0L  
CE1L  
ARBITRATION  
CE0R  
CE1R  
TDI  
TC K  
TMS  
TRST  
JTAG  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
TD O  
OE  
L
OE  
R
R/WL  
R/W  
R
(2,3)  
(3)  
(2,3)  
R
BUSY  
L
BUSY  
SEM  
M/S  
SEM  
L
R
(3)  
INT  
L
INT  
R
ZZ  
(4)  
(4)  
ZZR  
ZZL  
CONTROL  
LOGIC  
NOTES:  
1. Address A17x is a NC for IDT70T659.  
2. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
3. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
4869 drw 01  
4. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INTx, M/S and the sleep  
mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.  
NOVEMBER 2003  
1
DSC-5632/3  
©2003IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...27

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70T651S10BFGI IDT

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