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IDT70T651S10BFI8 PDF预览

IDT70T651S10BFI8

更新时间： 2024-10-29 14:42:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 340K
描述
Dual-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, FBGA-208

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IDT70T651S10BFI8 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.19
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B208
JESD-609代码：e0长度：15 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA208,17X17,32封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5,2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.5 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：2.4 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.445 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：15 mm
Base Number Matches：1

IDT70T651S10BFI8 数据手册

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IDT70T651/9S  
HIGH-SPEED 2.5V  
256/128K x 36  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE  
◆
Busy and Interrupt Flags  
On-chip port arbitration logic  
Features  
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
◆
– Commercial:8/10/12/15ns(max.)  
– Industrial: 10/12ns(max.)  
◆
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write  
◆
◆
◆
◆
Sleep Mode Inputs on both ports  
cycles  
◆
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
Single 2.5V (±100mV) power supply for core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 256-ball Ball Grid Array, 208-pin Plastic Quad  
Flatpack and 208-ball fine pitch Ball Grid Array.  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
◆
IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
◆
◆
◆
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Functional Block Diagram  
BE3L  
BE3R  
BE2R  
BE2L  
BE1L  
BE0L  
BE1R  
BE0R  
R/WL  
R/WR  
B B B B  
E E E E  
B
E
3
B B B  
E E E  
2 1 0  
0
1
2
3
CE0L  
CE1L  
CE0R  
CE1R  
L
L
L
L
R R R R  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
256/128K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O0L- I/O35L  
Di n_L  
Di n_R  
I/O0R -I/O35R  
(1)  
A
17R  
0R  
(1)  
17L  
Address  
Decoder  
A
Address  
Decoder  
ADDR_L  
ADDR_R  
A
A0L  
CE0L  
CE1L  
ARBITRATION  
CE0R  
CE1R  
TDI  
TC K  
TMS  
TRST  
JTAG  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
TD O  
OE  
L
OE  
R
R/WL  
R/W  
R
(2,3)  
(3)  
(2,3)  
R
BUSY  
L
BUSY  
SEM  
M/S  
SEM  
L
R
(3)  
INT  
L
INT  
R
ZZ  
(4)  
(4)  
ZZR  
ZZL  
CONTROL  
LOGIC  
NOTES:  
1. Address A17x is a NC for IDT70T659.  
2. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
3. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
4869 drw 01  
4. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INTx, M/S and the sleep  
mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.  
APRIL 2004  
1
DSC-5632/4  
©2004IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...27

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70T651S10DR IDT

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 		HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T651S10DR8 IDT

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 		Multi-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP208
IDT70T651S10DRG IDT

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IDT70T651S10DRI IDT

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