5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > SRAM> IDT70T651S10BFGI
IDT70T651S10BFGI PDF预览

IDT70T651S10BFGI

更新时间： 2024-11-27 13:08:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT /
页数 文件大小 规格书
27页 343K
描述
Dual-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM PITCH, GREEN, FBGA-208

阅读下载

中文翻译

获取价格

IDT70T651S10BFGI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.19
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B208
JESD-609代码：e1长度：15 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA208,17X17,32封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5,2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.5 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：2.4 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.445 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：15 mm
Base Number Matches：1

IDT70T651S10BFGI 数据手册

 浏览型号IDT70T651S10BFGI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT70T651S10BFGI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT70T651S10BFGI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT70T651S10BFGI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT70T651S10BFGI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT70T651S10BFGI的Datasheet PDF文件第7页 
HIGH-SPEED 2.5V  
PRELIMINARY  
IDT70T651/9S  
256/128K x 36  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE  
◆
Busy and Interrupt Flags  
On-chip port arbitration logic  
Features  
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
◆
– Commercial:8/10/12/15ns(max.)  
– Industrial: 10/12ns(max.)  
◆
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write  
◆
◆
◆
◆
Sleep Mode Inputs on both ports  
cycles  
◆
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
Single 2.5V (±100mV) power supply for core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 256-ball Ball Grid Array, 208-pin Plastic Quad  
Flatpack and 208-ball fine pitch Ball Grid Array.  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
◆
IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
◆
◆
◆
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Functional Block Diagram  
BE3L  
BE3R  
BE2R  
BE2L  
BE1L  
BE0L  
BE1R  
BE0R  
R/WL  
R/WR  
B B B B  
E E E E  
B
E
3
B B B  
E E E  
2 1 0  
0
1
2
3
CE0L  
CE1L  
CE0R  
CE1R  
L
L
L
L
R R R R  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
256/128K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O0L- I/O35L  
Di n_L  
Di n_R  
I/O0R -I/O35R  
(1)  
A
17R  
0R  
(1)  
17L  
Address  
Decoder  
A
Address  
Decoder  
ADDR_L  
ADDR_R  
A
A0L  
CE0L  
CE1L  
ARBITRATION  
CE0R  
CE1R  
TDI  
TC K  
TMS  
TRST  
JTAG  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
TD O  
OE  
L
OE  
R
R/WL  
R/W  
R
(2,3)  
(3)  
(2,3)  
R
BUSY  
L
BUSY  
SEM  
M/S  
SEM  
L
R
(3)  
INT  
L
INT  
R
ZZ  
(4)  
(4)  
ZZR  
ZZL  
CONTROL  
LOGIC  
NOTES:  
1. Address A17x is a NC for IDT70T659.  
2. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
3. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
4869 drw 01  
4. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INTx, M/S and the sleep  
mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.  
NOVEMBER 2003  
1
DSC-5632/3  
©2003IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...27

中文翻译

下载PDF

IDT70T651S10BFGI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IDT70T3519S133BFI IDT

功能相似

 HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF
IDT70T3519S133BF IDT

功能相似

 HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF
IDT70T651S10BF IDT

功能相似

 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC

与IDT70T651S10BFGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70T651S10BFI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T651S10BFI8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, FBGA-208
IDT70T651S10DR IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T651S10DR8 IDT

获取价格

 		Multi-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP208
IDT70T651S10DRG IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, Q
IDT70T651S10DRI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T651S12BC IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T651S12BC8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
IDT70T651S12BCG8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
IDT70T651S12BCGI IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM PITCH, GREEN, BGA-256

与IDT70T651S10BFGI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证