5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > SRAM> IDT70T633S12BFI
IDT70T633S12BFI PDF预览

IDT70T633S12BFI

更新时间： 2024-10-28 22:57:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 340K
描述
HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

阅读下载

中文翻译

获取价格

IDT70T633S12BFI 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.2
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B208
JESD-609代码：e0长度：15 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA208,17X17,32封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5,2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.5 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：2.4 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.395 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：15 mm
Base Number Matches：1

IDT70T633S12BFI 数据手册

 浏览型号IDT70T633S12BFI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT70T633S12BFI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT70T633S12BFI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT70T633S12BFI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT70T633S12BFI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT70T633S12BFI的Datasheet PDF文件第7页 
HIGH-SPEED 2.5V  
512/256K x 18  
PRELIMINARY  
IDT70T633/1S  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE  
◆
Features  
Full hardware support of semaphore signaling between  
ports on-chip  
On-chip port arbitration logic  
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
Sleep Mode Inputs on both ports  
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1 in  
BGA-208 and BGA-256 packages  
Single 2.5V (±100mV) power supply for core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 256-ball Ball Grid Array, 144-pin Thin Quad  
Flatpack and 208-ball fine pitch Ball Grid Array  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
◆
◆
– Commercial:8/10/12/15ns(max.)  
– Industrial: 10/12ns(max.)  
◆
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write  
◆
◆
cycles  
◆
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
◆
◆
◆
IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
◆
◆
◆
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
◆
Functional Block Diagram  
UBL  
UB  
R
LBL  
LB  
R
R/WL  
R/WR  
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
1
B
E
0
CE0L  
CE0R  
R
R
CE1L  
CE1R  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
512/256K x 18  
MEMORY  
ARRAY  
Din_L  
I/O0L- I/O17L  
Din_R  
I/O0R - I/O17R  
(1)  
A
A
18R  
0R  
(1)  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
A
18L  
ADDR_L  
ADDR_R  
A
0L  
TDI  
TCK  
TMS  
TRST  
JTAG  
OE  
L
OER  
ARBITRATION  
TDO  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE0R  
CE1R  
CE0L  
CE1L  
R/WL  
R/W  
R
(2,3)  
L
(2,3)  
R
BUSY  
SEM  
INT  
BUSY  
SEM  
M/S  
L
R
(3)  
(3)  
R
L
INT  
ZZ  
CONTROL  
LOGIC  
(4)  
(4)  
ZZR  
ZZ  
L
NOTES:  
1. Address A18x is a NC for IDT70T631.  
2. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
5670 drw 01  
3
BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
4. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INTx, M/S and the  
sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.  
NOVEMBER 2003  
1
DSC-5670/3  
©2003IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...27

中文翻译

下载PDF

IDT70T633S12BFI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IDT70T3339S133BFI IDT

功能相似

 HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTER
IDT70V7339S133BFI IDT

功能相似

 HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.

与IDT70T633S12BFI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70T633S12DD IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T633S12DD8 IDT

获取价格

 		Multi-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144
IDT70T633S12DDG IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144, 20 X 20 MM, 1.40 MM HIEGHT, GREEN, TQFP-144
IDT70T633S12DDGI IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144, 20 X 20 MM, 1.40 MM HIEGHT, GREEN, TQFP-144
IDT70T633S12DDGI8 IDT

获取价格

 		Multi-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144
IDT70T633S12DDI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T633S12DDI8 IDT

获取价格

 		Multi-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PQFP144
IDT70T633S15BC IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFAC
IDT70T633S15BC8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 512KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-
IDT70T633S15BCG8 IDT

获取价格

 		Multi-Port SRAM, 512KX18, 15ns, CMOS, PBGA256

与IDT70T633S12BFI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证