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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | TQFP-80 | 针数： | 80 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 20 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G80 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 36864 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 80 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70914S20PFB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 |
|
| IDT70914S20PI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT70914S25F | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
|
| IDT70914S25FB | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
|
| IDT70914S25FI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
|
| IDT70914S25GB | ETC |
获取价格 |
x9 Dual-Port SRAM |
|
| IDT70914S25J | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
|
| IDT70914S25J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
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| IDT70914S25JB | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
|
| IDT70914S25JBG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
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