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IDT7040LA35C

更新时间： 2024-10-28 20:34:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	412K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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IDT7040LA35C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	BATTERY BACK-UP	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP48,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.826 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7040LA35CB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7040LA35P	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7040LA35PB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7040LA45CB	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7040LAC	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, CDIP48, DIP-48
IDT7040LAP	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7040SA20C	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7040SA20P	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7040SA25C	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7040SA25CB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48