5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACK-UP | JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 61.849 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7042LA45CB | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA20C | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA20P | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA25C | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA25CB | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA25P | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA35C | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA35CB | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA35P | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
| IDT7042SA45CB | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
