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IDT7040SA45CB

更新时间: 2024-10-28 20:34:59
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 412K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

IDT7040SA45CB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48针数:48
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:45 ns其他特性:BATTERY BACK-UP
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T48
JESD-609代码:e0长度:60.96 mm
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:48
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP48,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:4.826 mm
最大待机电流:0.035 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.27 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

IDT7040SA45CB 数据手册

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