是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.87 |
最长访问时间: | 45 ns | 其他特性: | BATTERY BACK-UP |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 60.96 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 4.826 mm |
最大待机电流: | 0.035 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7040SAC | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, CDIP48, DIP-48 | |
IDT7040SAP | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7042LA20C | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7042LA20P | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7042LA25C | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7042LA25CB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7042LA25P | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7042LA35C | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7042LA35CB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7042LA35P | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |