是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.87 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | BATTERY BACK-UP |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 61.849 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7040SA25C | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7040SA25CB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7040SA25P | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7040SA25PB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7040SA35C | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7040SA35CB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7040SA35P | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7040SA35PB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7040SA45CB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7040SAC | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, CDIP48, DIP-48 |