Datasheet > IDT7040LA35CB

IDT7040LA35CB

更新时间： 2024-11-28 20:34:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	412K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7040LA35CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	BATTERY BACK-UP
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T48
JESD-609代码：	e0	长度：	60.96 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	48
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP48,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	4.826 mm
最大待机电流：	0.004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7040LA35P	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7040LA35PB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7040LA45CB	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7040LAC	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, CDIP48, DIP-48
IDT7040LAP	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7040SA20C	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7040SA20P	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
IDT7040SA25C	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7040SA25CB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7040SA25P	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48