Datasheet > IDT703517S233RM

IDT703517S233RM

更新时间： 2024-11-28 18:41:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	874K
描述
QDR SRAM, 256KX36, 0.45ns, PBGA576, 25 X 25 MM, 2.55 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-576

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT703517S233RM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	576
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	0.45 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B576
JESD-609代码：	e3	长度：	25 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	QDR SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	576	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	25 mm	Base Number Matches：	1

IDT703517S233RM 数据手册

PRELIMINARY DATASHET

IDT70P3537

512K/256K x36

SYNCHRONOUS

DUAL QDR-II

IDT70P3517

Features

each port

◆

– Four word transfers each of Read & Write per clock cycle per

port (four word bursts on 2 ports)

Octal Data Rate

Port Enable pins (E0,E1) for depth expansion

Dual Echo Clock Output with DLL-based phase alignment

High Speed Transceiver Logic inputs

18Mb Density (512K x 36)

– Also available 9Mb Density (256K x 36)

◆

QDR-II x 36 Burst-of-2 Interface

– Commercial: 233MHz, 250MHz

Two independent ports

– True Dual-Port Access to common memory

Separate, Independent Read and Write Data Buses on each

Port

◆

– scaled to receive signals from 1.4V to 1.9V

Scalable output drivers

◆

– Drives HSTL, 1.8V TTL or any voltage level from 1.4V to 1.9V

– Output impedance adjustable from 35 ohms to 70 ohms

1.8V Core Voltage (VDD)

576-ball Flip Chip BGA (25mm x 25mm, 1.0mm ball pitch)

JTAG Interface - IEEE 1149.1 Compliant

– Supports concurrent transactions

◆

Two-Word Burst on all DPRAM accesses

DDR (Double Data Rate) Multiplexed Address Bus

– One Read and One Write request per clock cycle

DDR (Double Data Rate) Data Buses

◆

– Four word burst data (Two Read and Two Write) per clock on

Functional Block Diagram

VREFL

VREFR

P[1:0]

ER[1:0]

EL[1:0]

LEFT PORT

DATA

RIGHT PORT

DATA

AND LOGIC

0L- D35L

0R-

D35R

WRITE DRIVER

(1)

ZQL

ZQR

0L-

3 5L

0R- Q35 R

512/256K x 36

MEMORY

ARRAY

CQL, CQL

CQR, CQR

(2)

0R- 17R

(2)

0L- 17L

, C

^ORK

, KR

^ORK

, KL

LEFT PORT

ADDRESS

AND LOGIC

RIGHT PORT

ADDRESS

AND LOGIC

ADDRESS DECODE

BW0R- BW3R

BW0L- BW3L

TCK

TMS

TRST

TDI

5677 drw01

JTAG

VREFR

VREFL

TDO

NOTES:

1. Input pin to adjust the device outputs to the system data bus impedance.

2. Address A17 is a INC for IDT70P3517. Disabled input pin (Diode tied to VDD and VSS).

July 16, 2007

DSC-5677/1

©2007 Integrated Device Technology, Inc. All rights reserved. Advanced Datasheet for informational purposes only. Product specifications subject to change without notice. NOT AN OFFER FOR SALE The information

presented herein is subject to a Non-Disclosure Agreement (NDA) and is for planning purposes only. Nothing contained in this presentation, whether verbal or written, is intended as, or shall have the effect of, a sale

or an offer for sale that creates a contractual power of acceptance. "QDR SRAMs and Quad Data Rate RAMs comprise a new family of products developed by Cypress Semicondor, IDT, and Micron Tecnology, Inc."

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与IDT703517S233RM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT703517S250RM	IDT	获取价格	QDR SRAM, 256KX36, 0.45ns, PBGA576, 25 X 25 MM, 2.55 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
IDT703537S233RM	IDT	获取价格	QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, PBGA576, 25 X 25 MM, 2.55 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
IDT703537S250RM	IDT	获取价格	QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, PBGA576, 25 X 25 MM, 2.55 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT
IDT7035L	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 8K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7035L15PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 8K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7035L15PFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT7035L15PFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX18, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IDT7035L20PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 8K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7035L20PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT7035L20PFI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

与IDT703517S233RM相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

37
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

65
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT703517S233RM

IDT703517S233RM 技术参数

IDT703517S233RM 数据手册

与IDT703517S233RM相关器件

与IDT703517S233RM相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT703517S233RM

IDT703517S233RM 技术参数

IDT703517S233RM 数据手册

与IDT703517S233RM相关器件

与IDT703517S233RM相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？