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IDP09E120

更新时间： 2024-11-29 21:53:47
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管开关局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 200K
描述
Fast Switching EmCon Diode

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IDP09E120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.81
Is Samacsys：N应用：FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：23 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：69 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.14 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IDP09E120 数据手册

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IDP09E120  
IDB09E120  
Fast Switching EmCon Diode  
Product Summary  
Feature  
V
1200  
9
V
A
V
RRM  
• 1200 V EmCon technology  
• Fast recovery  
• Soft switching  
• Low reverse recovery charge  
• Low forward voltage  
• Easy paralleling  
I
F
V
T
1.65  
150  
F
°C  
jmax  
P-TO220-3.SMD  
P-TO220-2-2.  
Type  
Package  
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3  
Q67040-S4479  
P-TO220-3.SMD Q67040-S4384  
C
A
C
-
A
IDP09E120  
IDB09E120  
P-TO220-2-2.  
D09E120  
D09E120 NC  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Continous forward current  
Symbol  
Value  
1200  
Unit  
V
A
V
RRM  
I
F
T =25°C  
23  
C
T =90°C  
14.4  
C
Surge non repetitive forward current  
I
I
50  
FSM  
FRM  
T =25°C, t =10 ms, sine halfwave  
C
p
Maximum repetitive forward current  
36  
T =25°C, t limited by T  
, D=0.5  
C
p
jmax  
W
Power dissipation  
P
tot  
T =25°C  
69  
33  
C
T =90°C  
C
-55...+150  
260  
°C  
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
j stg  
S
Soldering temperature  
T
1.6mm(0.063 in.) from case for 10s  
Page 1  
Rev.2  
2003-07-31  
1234567...9

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IDP09E120 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IDP12E120XKSA1 INFINEON

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