是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 特性阻抗: | 50 Ω |
最大变频损耗: | 12 dB | 调制技术: | I/Q |
最大工作频率: | 525 MHz | 最小工作频率: | 475 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
射频/微波设备类型: | DEMODULATOR | 最大电压驻波比: | 1.5 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDP2S70 | ETC |
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Analog IC | |
IDP-2S-XXXB | CRANE |
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RF/MICROWAVE I/Q DEMODULATOR, 12dB CONVERSION LOSS-MAX, HERMETIC, 18 PIN | |
IDP30C65D2 | INFINEON |
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Rapid 2 650 V 开关, 30 A发射极控制 硅功率二极管 具有TO-220 封 | |
IDP30E060 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), | |
IDP30E120 | INFINEON |
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Fast Switching EmCon Diode | |
IDP30E120_09 | INFINEON |
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Fast Switching Diode | |
IDP30E120XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220, ROHS COMPLIANT, P | |
IDP30E60 | INFINEON |
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Fast Switching EmCon Diode | |
IDP30E60 | THINKISEMI |
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30Amperes,600Volts SwitchMode Ultrafast Recovery Epitaxial Diode | |
IDP30E60_09 | INFINEON |
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Fast Switching Diode |